GaAsSb/InGaAs vertical tunnel FET with a 25 nm-wide channel mesa structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaAsSb/InGaAs vertical tunnel FET with a 25 nm-wide channel mesa structure

著者

和文:	藤松基彦, 齋藤尚史, 宮本恭幸.
英文:	Motohiko Fujimatsu, Hisashi Saito, YASUYUKI MIYAMOTO.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2011)

開催地

和文:
英文:	Nagoya