High Drain Current (&gt;2A/mm) InGaAs channel MOSFET at VD=0.5V with Shrinkage of Channel Length by InP Anisotropic Etching

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High Drain Current (>2A/mm) InGaAs channel MOSFET at VD=0.5V with Shrinkage of Channel Length by InP Anisotropic Etching

著者

和文:	米内義晴, 金澤徹, 池田俊介, 宮本恭幸.
英文:	Yosiharu Yonai, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2011)

開催地

和文:
英文:	Washington DC