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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Capacitance-Voltage Characterization of La2O3 Metal-Oxide-Semiconductor Structures on Ino.53Ga.0.47As Substrate with Different Surface Treatment Methods 
著者
和文: ダリューシュザデ, 神田高志, 山下晃司, 角嶋邦之, 野平博司, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: ダリューシュザデ, Takashi Kanda, 山下晃司, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hiroshi Nohira, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Japanese Journal of Applied Physics 
巻, 号, ページ Vol. 50    No. 10    pp. 10PD03-1-4
出版年月 2011年10月 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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英文: 

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