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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:EOT of 0.62 nm and High Electron Mobility in La-silicate/Si Structure Based nMOSFETs Achieved by Utilizing Metal-Inserted Poly-Si Stacks and Annealing at High Temperature 
著者
和文: 川那子高暢, 李映勲, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Takamasa Kawanago, Yeonghun Lee, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:IEEE Transactions on Electron Devices 
巻, 号, ページ Vol. 59    No. 2    pp. 269-276
出版年月 2012年2月 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.1109/TED.2011.2174442

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