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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:La2O3 gate insulators prepared by atomic layer deposition: Optimal growth conditions and MgO/La2O3 stacks for improved metal-oxide-semiconductor characteristics 
著者
和文: 鈴木 拓也, 久保田透, パールハットアヘメト, 岩井洋.  
英文: 鈴木 拓也, 久保田透, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Journal of Vacuum Science & Technology A 
巻, 号, ページ Vol. 30    No. 5    pp. 051507-1-8
出版年月 2012年7月 
出版者
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会議名称
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開催地
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