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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with n-type Doped SiC Source/Drain Regions 
著者
和文: 永久 雄一, 徳光 永輔.  
英文: Yuichi Nagahisa, Eisuke Tokumitsu.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Materials Science Forum 
巻, 号, ページ Vol. 717-720        pp. 679-682
出版年月 2012年5月1日 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.679

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