Observation of High on/off Drain Current Ratio in Graphene Transistors with n-type doped SiC Source/Drain Regions

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Observation of High on/off Drain Current Ratio in Graphene Transistors with n-type doped SiC Source/Drain Regions

著者

和文:	永久雄一, Y.Harada, 徳光永輔.
英文:	Y.Nagahisa, Y.Harada, E. Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年6月4日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Graphene Week 2013, GW2013-142

開催地

和文:
英文:	Chemnitz