Performance Evaluation of InGaSb/AlSb P-Channel High-Hole-Mobility Transistor Faricated Using BCl3 Dry Etching

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Performance Evaluation of InGaSb/AlSb P-Channel High-Hole-Mobility Transistor Faricated Using BCl3 Dry Etching

著者

和文:	C.-H. Yu, H.-T. Hsu, C.-Y. Chiang, C.-I Kuo, 宮本恭幸, E. Y. Chang.
英文:	C.-H. Yu, H.-T. Hsu, C.-Y. Chiang, C.-I Kuo, Y. Miyamoto, E. Y. Chang.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	JPN. J. APPL. PHYS.

巻, 号, ページ

vol. 52 no. 2

出版年月

2013年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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