71 mV/dec of Sub-Threshold Slope in Vertical Tunnel Field-Effect Transistors with GaAsSb/InGaAs Heterostructure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	71 mV/dec of Sub-Threshold Slope in Vertical Tunnel Field-Effect Transistors with GaAsSb/InGaAs Heterostructure

著者

和文:	藤松基彦, 齋藤尚史, 宮本恭幸.
英文:	M. Fujimatsu, H. Saito, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年8月27日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)

開催地

和文:
英文:	Santa Barbara, CA