Mechanism study of gate leakage current for AlGaN/GaN HEMT structure under high reverse bias by TSB model and TCAD simulation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Mechanism study of gate leakage current for AlGaN/GaN HEMT structure under high reverse bias by TSB model and TCAD simulation

著者

和文:	T. Oishi, K. Hayashi, 山口裕太郎, H. Otsuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, 宮本恭幸.
英文:	T. Oishi, K. Hayashi, Y. Yamaguchi, H. Otsuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)

開催地

和文:	京都府京都市
英文:	Kyoto