High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa

著者

和文:	柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸.
英文:	M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年9月26日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)

開催地

和文:	京都府京都市
英文:	Kyoto