Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs

著者

和文:	山口裕太郎, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, T. Nanjo, K. Yamanaka, M. Nakayama, 宮本恭幸.
英文:	Y. Yamaguchi, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, T. Nanjo, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年10月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文:	La Jolla, CA