Sub-50-nm InGaAs MOSFET with n-InP source on Si substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Sub-50-nm InGaAs MOSFET with n-InP source on Si substrate

著者

和文:	加藤淳, 金澤徹, 上原英治, 米内義晴, 宮本恭幸.
英文:	A. Kato, T. Kanazawa, Eiji Uehara, Y. Yonai, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	25th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)

開催地

和文:	兵庫県神戸市
英文:	Kobe