Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al2O3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al2O3 Buffer Layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al2O3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al2O3 Buffer Layer

著者

和文:	山田泰之, 日野史郎, 三浦成久, 今泉昌之, 山川聡, 徳光永輔.
英文:	Hiroyuki Yamada, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi, Satoshi Yamakawa, EISUKE TOKUMITSU.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013

開催地

和文:	宮崎
英文:	Miyazaki