偏波制御面発光レーザのためのGaAs(311)B基板上InGaAs/GaAs量子井戸成長条件の検討

論文・著書情報

タイトル

和文:	偏波制御面発光レーザのためのGaAs(311)B基板上InGaAs/GaAs量子井戸成長条件の検討
英文:	Growth condition of InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs (311)B substrate for polarization controlled VCSELs

著者

和文:	西山伸彦, 品田聡, 荒井昌和, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	Nobuhiko Nishiyama, Satoshi Shinada, Masakazu Arai, Fumio Koyama, Kenichi Iga.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

28a-P-8

出版年月

1999年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第46回春季応用物理学会
英文:	The 46th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societie

開催地

和文:	千葉
英文:	Chiba