Si/SiGe系MOS構造量子ポイントコンタクトの特性評価 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si/SiGe系MOS構造量子ポイントコンタクトの特性評価
英文:

著者

和文:	神岡純, 小寺哲夫, 武田健太, 小幡利顕, Waseem. M. Akhtar, 樽茶清悟, 小田俊理.
英文:	jun kamioka, Tetsuo Kodera, Kenta Takeda, Toshiaki Obata, Akhtar Waseem.M., Seigo Tarucha, SHUNRI ODA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年

出版者

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会議名称

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開催地

和文:
英文:	京田辺市

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