Si(111)基板上CaF<sub>2</sub>エピタキシーにおけるRHEED強度振動

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si(111)基板上CaF₂エピタキシーにおけるRHEED強度振動
英文:	RHEED ocsillations during CaF₂ epitaxy on Si(111)

著者

和文:	渡辺正裕, 鈴木信弘, 村竹茂樹, 末益崇, 浅田雅洋.
英文:	M. Watanabe, N. Suzuki, S. Muratake, T. Suemasu, M. Asada.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

29a-ZC-5 1 265

出版年月

1992年3月29日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第39回応用物理学会関係連合講演会
英文:	Nat. Conv. Rec. of The Japan Soc. of Appl. Phys.

開催地

和文:	千葉県
英文:	Chiba