イオンビームアシストを用いた低オフ角Si(111) 基板上へのCaF<sub>2</sub>エピタキシャル成長

論文・著書情報

タイトル

和文:	イオンビームアシストを用いた低オフ角Si(111) 基板上へのCaF₂エピタキシャル成長
英文:	Epitaxial growth of CaF₂ on low-off angle Si(111) substrate using ion assisted epitaxy

著者

和文:	渡辺正裕, 池谷吉史, 杉浦秀和, 吉田和史.
英文:	M. Watanabe, Y. Iketani, H. Sugiura, K. Yoshida.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

4p-V-16 1 394

出版年月

1997年10月4日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第58回応用物理学会学術講演会
英文:	Nat. Conv. Rec. of The Japan Soc. of Appl. Phys.

開催地

和文:	秋田県
英文:	Akita