テラス幅を制御したSi(111)1゜off 基板上へのCaF<sub>2</sub>イオンビームエピタキシャル成長

論文・著書情報

タイトル

和文:	テラス幅を制御したSi(111)1゜off 基板上へのCaF₂イオンビームエピタキシャル成長
英文:	Ion beam epitaxial growth of CaF₂ on Si(111) 1degree substrate with controlled terrace-width

著者

和文:	池谷吉史, 渡辺正裕, 浅田雅洋.
英文:	Y. Iketani, M. Watanabe, M. Asada.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

1p-T-4 1 342

出版年月

1999年9月1日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第60回応用物理学会学術講演会
英文:	The 60th Autumn Meeting of The Jpn. Soc. Of Appl. Phys

開催地

和文:	神戸
英文:	Kobe