Novel Resistivity Random Access Memory (ReRAM) based on tunneling probability modulation using Si/CaF<sub>2</sub>/CdF<sub>2</sub> quantum-well structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Novel Resistivity Random Access Memory (ReRAM) based on tunneling probability modulation using Si/CaF₂/CdF₂ quantum-well structures

著者

和文:	Ryo Hirasawa, 渡辺正裕.
英文:	Ryo Hirasawa, Masahiro Watanabe.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

4-P22 339-340

出版年月

2008年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)

開催地

和文:
英文:	Tokyo/Saiko/Hayama