Resistance switching memory using Si/CaF<sub>2</sub>/CdF<sub>2</sub> quantum-well structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Resistance switching memory using Si/CaF₂/CdF₂ quantum-well structures

著者

和文:	渡辺正裕, R. Hirasawa, Y. Nakashouji.
英文:	M. Watanabe, R. Hirasawa, Y. Nakashouji.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

K-2-6 284-285

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials

開催地

和文:
英文:	Sendai, Japan