English
Home
各種検索
研究業績検索
論文・著書検索
( 詳細検索 )
特許検索
( 詳細検索 )
研究ハイライト検索
( 詳細検索 )
研究者検索
組織・担当から絞り込む
サポート
よくあるご質問(FAQ)
T2R2登録申請
学位論文登録について
組織単位データ出力について
(学内限定)
サポート・問合せ
T2R2について
T2R2とは?
運用指針
リーフレット
本文ファイルの公開について
関連リンク
東京工業大学
東京工業大学STARサーチ
国立情報学研究所(学術機関リポジトリ構築連携支援事業)
Home
>
ヘルプ
論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Low temperature (~420°C) epitaxial growth of CaF
2
/Si(111) by Ionized-Cluster-Beam technique
著者
和文:
渡辺 正裕
, H. Muguruma,
浅田 雅洋
,
荒井 滋久
.
英文:
M. Watanabe
, H. Muguruma,
M. Asada
,
S. Arai
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
Jpn. J. Appl. Phys.
巻, 号, ページ
Vol. 29 No. 9 pp. 1803-1804
出版年月
1990年9月
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
開催地
和文:
英文:
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.