Mobility Improvement of La-silicate MOSFET by W2C Gate Electrode

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Mobility Improvement of La-silicate MOSFET by W2C Gate Electrode

著者

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Mobility Improvement of La-silicate MOSFET by W2C Gate Electrode”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan

巻, 号, ページ

出版年月

2014年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39

開催地

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