Caluculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs  using device simulation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Caluculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using device simulation

著者

和文:	寺山一真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋.
英文:	Kazuma Terayama, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39

開催地

和文:
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