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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Delay time component of InGaAs MOSFET caused by dynamic source resistance 
著者
和文: 山田 真之, 内田 建, 宮本 恭幸.  
英文: M. Yamada, K. Uchida, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:IEICE Trans. Electron 
巻, 号, ページ Vol. E97-C    No. 5    pp. 419-422
出版年月 2014年5月1日 
出版者
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会議名称
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開催地
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英文: 
DOI https://doi.org/10.1587/transele.E97.C.419

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