Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation

著者

和文:	長谷川淳一, K.Konishi, Y.Nakamura, K.Otsuka, S.Nakata, 中峯嘉文, 西村正, 波多野睦子.
英文:	J.Hasegawa, K.Konishi, Y.Nakamura, K.Otsuka, S.Nakata, Y. Nakamine, T. Nishimura, M. Hatano.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Materials Science Forum

巻, 号, ページ

Vol. 828 pp. 778-780

出版年月

2014年2月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI