Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density

著者

和文:	大澤一斗, 加藤淳, 佐賀井健, 金澤徹, 上原英治, 宮本恭幸.
英文:	K. Ohsawa, A. Kato, T. Sagai, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

2-9 pp. 19-20

出版年月

2013年9月3日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013)

開催地

和文:	Hakodate
英文:	函館国際ホテル