Suppression of short channel effects in accumulation-type UTB-InGaAs-OI nMISFETs with raised S/D fabricated by gate-last process

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Suppression of short channel effects in accumulation-type UTB-InGaAs-OI nMISFETs with raised S/D fabricated by gate-last process

著者

和文:	M. Oda, T. Irisawa, E. Mieda, Y. Kurashima, H. Takagi, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, T. Ishihara, T. Osada, 宮本恭幸, T. Tezuka.
英文:	M. Oda, T. Irisawa, E. Mieda, Y. Kurashima, H. Takagi, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, T. Ishihara, T. Osada, Y. Miyamoto, T. Tezuka.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年9月26日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Fukuoka