Analysis on trade-off between drain resistance and drain-source capacitance of source field plate GaN HEMT

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis on trade-off between drain resistance and drain-source capacitance of source field plate GaN HEMT

著者

和文:	山口裕太郎, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, K. Yamanaka, 宮本恭幸.
英文:	Y. Yamaguchi, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, K. Yamanaka, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年9月27日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Fukuoka