Dependence of the Carrier Concentration in InGaAs/InP Superlattice-based FETs with a Steep Subthreshold Slope

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Dependence of the Carrier Concentration in InGaAs/InP Superlattice-based FETs with a Steep Subthreshold Slope

著者

和文:	柏野壮志, 行待篤志, 宮本恭幸.
英文:	M. Kashiwano, A. Yukimachi, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年9月27日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Fukuoka