High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Growth on Narrow Fin Structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Growth on Narrow Fin Structures

著者

和文:	T. Irisawa, M. Oda, K. Ikeda, Y. Moriyama, E. Mieda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, 宮本恭幸, T. Tezuka.
英文:	T. Irisawa, M. Oda, K. Ikeda, Y. Moriyama, E. Mieda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, Y. Miyamoto, T. Tezuka.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年12月9日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2013 International Electron Devices Meeting

開催地

和文:
英文:	Washington, DC

DOI