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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain 
著者
和文: 三嶋 裕一, 金澤 徹, 木下 治紀, 上原 英治, 宮本 恭幸.  
英文: Y. Mishima, T. Kanazawa, H. Kinoshita, E. Uehara, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2014年6月23日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:72nd Device Research Conference (DRC) 
開催地
和文: 
英文:Santa Barbara, CA 

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