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タイトル
和文:高電流密度化に向けたInPソースを有するIII-V-OI InGaAs MOSFETのチャネル厚依存性 
英文: 
著者
和文: 大澤一斗, 加藤淳, 佐賀井健, 金澤徹, 上原英治, 宮本恭幸.  
英文: Kazuto Ohsawa, atsushi kato, Takeru Sagai, Toru Kanazawa, Eiji Uehara, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2013年9月19日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:第74回秋季応用物理学会学術講演会 
開催地
和文:京都市 
英文: 

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