English
Home
各種検索
研究業績検索
論文・著書検索
( 詳細検索 )
特許検索
( 詳細検索 )
研究ハイライト検索
( 詳細検索 )
研究者検索
組織・担当から絞り込む
サポート
よくあるご質問(FAQ)
T2R2登録申請
学位論文登録について
組織単位データ出力について
(学内限定)
サポート・問合せ
T2R2について
T2R2とは?
運用指針
リーフレット
本文ファイルの公開について
関連リンク
東京科学大学
東京科学大学STARサーチ
国立情報学研究所(学術機関リポジトリ構築連携支援事業)
Home
>
ヘルプ
論文・著書情報
タイトル
和文:
MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFET
英文:
著者
和文:
入澤寿史, 小田穣, 池田圭司, 守山佳彦, 三枝栄子, JevaswanWipakorn, 前田辰朗, 市川麿, 長田剛規,
宮本恭幸
, 秦雅彦, 手塚勉.
英文:
入澤寿史, 小田穣, 池田圭司, 守山佳彦, 三枝栄子, JevaswanWipakorn, 前田辰朗, 市川麿, 長田剛規,
YASUYUKI MIYAMOTO
, 秦雅彦, 手塚勉.
言語
Japanese
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
出版年月
2014年3月13日
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
電気学会電子デバイス研究会
英文:
開催地
和文:
日光市
英文:
©2007
Institute of Science Tokyo All rights reserved.