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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Analysis of effect of gate oxidation at SiC MOS interface on threshold-voltage shift using deep-level transient spectroscopy 
著者
和文: 長谷川 淳一, M. Furuhashi, S. Nakata, 岩崎 孝之, 小寺 哲夫, T. Nishimura, 波多野 睦子, M Noguchi.  
英文: J. Hasegawa, M. Furuhashi, S. Nakata, T. Iwasaki, T. Kodera, T. Nishimura, M. Hatano, M Noguchi.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn. J. Appl. Phys. 
巻, 号, ページ Vol. 54        pp. 04DP05
出版年月 2015年1月28日 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.7567/JJAP.54.04DP05

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