A Study on Process and Device Structure for Schottky and Heterojunction Tunnel FETs using Silicide-Silicon interface

論文・著書情報

タイトル

和文:	ショットキー及びヘテロシリサイド・シリコン接合トンネルFETのプロセス及び構造因子に関する研究
英文:	A Study on Process and Device Structure for Schottky and Heterojunction Tunnel FETs using Silicide-Silicon interface

著者

和文:	呉研.
英文:	Wu Yan.

種別

種別:	学位論文(博士)審査の要旨
国名:	Japan

言語

English

学位授与組織

Tokyo Institute of Technology

報告番号

甲第9534号

学位授与日

2014/03/26

審査員

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