MBE法によるGaIn(N)Asのドーピング特性とコンタクト層への応用

論文・著書情報

タイトル

和文:	MBE法によるGaIn(N)Asのドーピング特性とコンタクト層への応用
英文:	Doping characteristics of GaIn(N)As grown by molecular beam epitaxy and application to contact layers

著者

和文:	松浦哲也, 宮本智之, 牧野茂樹, 太田征孝, 松井康尚, 小山二三夫.
英文:	TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, 牧野茂樹, MASATAKA OHTA, 松井康尚, FUMIO KOYAMA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2003年3月

出版者

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会議名称

和文:	第50回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 50th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	神奈川
英文:	Kanagawa