【重要】T2R2・STARSearchの停止と後継システムについて English

Home > ヘルプ 論文・著書情報 タイトル 和文:   英文: Normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor using digital etching technique  著者 和文: 山中 僚大, 金澤 徹, E. Yagyu, 宮本 恭幸.   英文: R Yamanaka, T. Kanazawa, E. Yagyu, Y. Miyamoto.   言語 English  掲載誌/書名 和文:   英文: Jpn. J. Appl.Phys.  巻, 号, ページ Volume 54    Number S61    出版年月 2015年6月  出版者 和文:   英文:   会議名称 和文:   英文:   開催地 和文:   英文:   DOI https://doi.org/10.7567/JJAP.54.06FG04

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