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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor using digital etching technique 
著者
和文: 山中 僚大, 金澤 徹, E. Yagyu, 宮本 恭幸.  
英文: R Yamanaka, T. Kanazawa, E. Yagyu, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn. J. Appl.Phys. 
巻, 号, ページ Volume 54    Number S61   
出版年月 2015年6月 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.7567/JJAP.54.06FG04

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