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論文・著書情報


タイトル
和文:低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 
英文: 
著者
和文: 宮本恭幸, 金澤 徹, 米内義晴, 加藤 淳, 藤松基彦, 柏野壮志, 大澤一斗, 大橋一水.  
英文: YASUYUKI MIYAMOTO, Toru Kanazawa, Yosiharu Yonai, atsushi kato, Motohiko Fujimatsu, Masashi Kashiwano, Kazuto Ohsawa, Kazumi Ohashi.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文:IEICE Technical Report 
巻, 号, ページ        
出版年月 2014年8月1日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:電子情報通信学会 電子デバイス研究会 
英文: 
開催地
和文:東京 
英文: 

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