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論文・著書情報


タイトル
和文:GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおけるI-V特性の不純物濃度依存性 
英文: 
著者
和文: 岩田真次郎, 大橋一水, 宮本恭幸.  
英文: Shinjiro Iwata, Kazumi Ohashi, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2015年3月10日 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:電子情報通信学会 総合大会 
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開催地
和文:草津市 
英文: 

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