Effect of Tensile Strain on Gate Current of Strained-Si n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:	Effect of Tensile Strain on Gate Current of Strained-Si n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
英文:	Effect of Tensile Strain on Gate Current of Strained-Si n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者

和文:	Takuya Hoshii, Satoshi Sugahara, Shin-ichi Takagi.
英文:	Takuya Hoshii, Satoshi Sugahara, Shin-ichi Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Japanese Journal of Applied Physics
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 46 No. 4B pp. 2122-2126

出版年月

2007年4月24日

出版者

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会議名称

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開催地

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