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タイトル
和文:Controlling Anion Composition at Metal-Insulator-Semiconductor Interfaces on III-V Channels by Plasma Processing 
英文:Controlling Anion Composition at Metal-Insulator-Semiconductor Interfaces on III-V Channels by Plasma Processing 
著者
和文: Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.  
英文: Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文:Japanese Journal of Applied Physics 
英文:Japanese Journal of Applied Physics 
巻, 号, ページ Vol. 51    No. 6 PART 1    pp. 065701
出版年月 2012年5月 
出版者
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会議名称
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開催地
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公式リンク http://stacks.iop.org/1347-4065/51/065701
 
DOI https://doi.org/10.1143/JJAP.51.065701

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