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タイトル
和文:Impact of atomic layer deposition temperature on HfO2/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties 
英文:Impact of atomic layer deposition temperature on HfO2/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties 
著者
和文: Rena Suzuki, Noriyuki Taoka, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Takuya Hoshii, Tatsuro Maeda, Tetsuji Yasuda, Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.  
英文: Rena Suzuki, Noriyuki Taoka, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Takuya Hoshii, Tatsuro Maeda, Tetsuji Yasuda, Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文:Journal of Applied Physics 
英文:Journal of Applied Physics 
巻, 号, ページ Vol. 112    No. 8    pp. 084103
出版年月 2012年10月 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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公式リンク http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/112/8/10.1063/1.4759329
 
DOI https://doi.org/10.1063/1.4759329

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