Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing

論文・著書情報

タイトル

和文:	室温でのレーザープロセスを用いたワイドバンドギャップM2O3 (M=Al, Ga)薄膜のエピタキシャル成長に関する研究
英文:	Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing

著者

和文:	塩尻大士.
英文:	Daishi Shiojiri.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	Japan

言語

English

学位授与組織

Tokyo Institute of Technology

報告番号

甲第10181号

学位授与日

2016/03/26

審査員