Fabrication of a highly controllable Si-MOS quantum dot device

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of a highly controllable Si-MOS quantum dot device

著者

和文:	本田拓夢, J. Yoneda, 武田健太, 小寺哲夫, 樽茶清悟, 小田俊理.
英文:	T. Honda, J. Yoneda, K. Takeda, T. Kodera, S. Tarucha, S. Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2015年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IEEE 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop

開催地

和文:
英文:	Kyoto