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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Fabrication of a highly controllable Si-MOS quantum dot device 
著者
和文: 本田 拓夢, J. Yoneda, 武田 健太, 小寺 哲夫, 樽茶 清悟, 小田 俊理.  
英文: T. Honda, J. Yoneda, K. Takeda, T. Kodera, S. Tarucha, S. Oda.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2015年6月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:IEEE 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop 
開催地
和文: 
英文:Kyoto 

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