Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:High Efficiency Cu2ZnSn(S,Se)4 Solar Cells by Applying a Double In2S3/CdS Emitter 
著者
和文: Jeehwan Kim, 廣井 誉, Teodor K. Todorov, Oki Gunanwan, Masaru Kuwahara, Gokmen Tayfun, Dhruv Nair, Marinus Hopstaken, Byungha Shin, 杉本 広紀, David B. Mitzi.  
英文: Jeehwan Kim, Homare Hiroi, Teodor K. Todorov, Oki Gunanwan, Masaru Kuwahara, Tayfun Gokmen, Dhruv Nair, Marinus Hopstaken, Byungha Shin, Hiroki Sugimoto, David B. Mitzi.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:ADVANCED MATERIALS 
巻, 号, ページ Volume 26        Page 7427-7431
出版年月 2014年11月21日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 
公式リンク http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201470303/full
 
DOI https://doi.org/10.1002/adma.201402373
アブストラクト On page 7427, J. Kim, H. Hiroi, T. K. Todorov, D. B. Mitzi, and co-workers report high-efficiency Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells by applying In2S3/CdS double emitters. This new structure offers a high doping concentration within the Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells, resulting in substantial enhancement in the open-circuit voltage. The 12.4% device is obtained with a record open-circuit voltage deficit of 593 mV.

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.