Potential of Enhancement Mode In0.65Ga0.35As/InAs/In0.65Ga0.35As HEMTs for Using in High-Speed and Low-Power Logic Applications

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Potential of Enhancement Mode In0.65Ga0.35As/InAs/In0.65Ga0.35As HEMTs for Using in High-Speed and Low-Power Logic Applications

著者

和文:	F. A. Fatah, Y.-C. Lin, T.-Y. Lee, K.-C. Yang, R.-X. Liu, J.-R. Chan, H.-T. Hsu, 宮本恭幸, E. Y. Chang.
英文:	F. A. Fatah, Y.-C. Lin, T.-Y. Lee, K.-C. Yang, R.-X. Liu, J.-R. Chan, H.-T. Hsu, Y. Miyamoto, E. Y. Chang.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Solid State Sci. Technol

巻, 号, ページ

volume 4 issue 12 N157-N159

出版年月

2015年10月14日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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