A 60-nm-thick enhancement mode In0.65Ga0.35As/InAs/ In0.65Ga0.35As high-electron-mobility transistor fabricated using Au/Pt/Ti non-annealed ohmic technology for low-power logic applications,

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A 60-nm-thick enhancement mode In0.65Ga0.35As/InAs/ In0.65Ga0.35As high-electron-mobility transistor fabricated using Au/Pt/Ti non-annealed ohmic technology for low-power logic applications,

著者

和文:	F. A. Fatah, Y.-C. Lin, R.-X. Liu, K.-C. Yang, T.-W. Lin, H.-T. Hsu, J.-H. Yang, 宮本恭幸, H. Iwai, C. Hu, S. Salahuddin, E. Y. Chang.
英文:	F. A. Fatah, Y.-C. Lin, R.-X. Liu, K.-C. Yang, T.-W. Lin, H.-T. Hsu, J.-H. Yang, Y. Miyamoto, H. Iwai, C. Hu, S. Salahuddin, E. Y. Chang.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Express

巻, 号, ページ

Volume 9 026502

出版年月

2016年1月14日

出版者

和文:
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会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
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