Collapse Free High Power InAlGaN/GaN-HEMT with 3 W/mm at 96 GHz

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Collapse Free High Power InAlGaN/GaN-HEMT with 3 W/mm at 96 GHz

著者

和文:	牧山剛三, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, Y. Niida, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, 宮本恭幸.
英文:	K. Makiyama, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, Y. Niida, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2015年12月7日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

開催地

和文:
英文:	Washington DC