Operation of 13-nm channel length InGaAs-MOSFET with n-InP source

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Operation of 13-nm channel length InGaAs-MOSFET with n-InP source

著者

和文:	大澤一斗, 三嶋裕一, 宮本恭幸.
英文:	K. Ohsawa, Y. Mishima, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2015年7月1日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

開催地

和文:
英文:	Santa Barbara, California